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1200℃雙溫區CVD系統
更新時(shí)間： 2024-08-27
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產(chǎn)品報價(jià)：
產(chǎn)品簡(jiǎn)介： CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶(hù)需要設計生產(chǎn)，CVD系統除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
詳細資料：
此款CVD生長(cháng)系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長(cháng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實(shí)驗。
產(chǎn)品組成：
此款CVD系統配置：
1.1200度開(kāi)啟式真空管式爐（可選配單溫區、雙溫區）。
2.多路質(zhì)量流量控制系統
3.真空系統（可選配中真空或高真空）
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過(guò)沖，性能可靠，操作簡(jiǎn)單。
2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司*的知識產(chǎn)權設計,提高操作便捷性。
3 中真空系統具有真空度上下限自動(dòng)控制功能，高真空系統采用高壓強，耐沖擊分子泵
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長(cháng)系統使用壽命。
系統名稱(chēng) | 1200℃單/雙溫區CVD系統 | |
系統型號 | CVD-12II-3Z/G | CVD-12II6-3Z/G |
極限溫度 | 1200℃ | |
加熱區長(cháng)度 | 420mm | 600mm |
恒溫區長(cháng)度 | 280mm | 390mm |
溫區 | 雙溫區 | 雙溫區 |
石英管管徑 | Φ50/Φ60/Φ80mm | Φ80/Φ100mm |
額定功率 | 3.2Kw | 4.8Kw |
額定電壓 | 220V | |
溫度控制 | 國產(chǎn)程序控溫系統50段程序控溫； | |
控制精度 | ±1℃ | |
爐管極限工作溫度 | ＜1200℃ | |
氣路法蘭 | 密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在使用設備的時(shí)候安裝 | |
氣體控制方式 | 質(zhì)量流量計 | |
氣路數量 | 3路（可根據具體需要選配氣路數量） | |
流量范圍 | 0-500sccm(標準毫升/分，可選配）氮氣標定 | |
精度 | ±1%F.S | |
響應時(shí)間 | ≤4sec | |
工作溫度 | 5-45℃ | |
工作壓力 | 進(jìn)氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力） | |
系統連接方式 | 采用KF快速連接波紋管、高真空手動(dòng)擋板閥及數顯真空測量?jì)x | |
規格 | 高真空 | |
系統真空范圍 | 1x10-3Pa-1x10-1Pa | |
真空泵 | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW | 真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW |
爐體外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm |
系統外形尺寸 | 530x1440x750mm(不含高真空) | |
系統總重量 | 330kg | |
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